cam a22 u 4500 128620889 CHVBK 20200921121556.0 880212s1982 gw | 00 |ger|d BMFT-FB-T-82-220 (OCoLC)888792956 (NEBIS)000266189 ETH-BIB ger ETH-BIB ETHICS-ISBD Entwicklung einer 2 {mü}m-MOS-Prozesslinie zur Fertigung von VLSI-Produkten Karlheinz Horninger, Winfried Rüttenauer, Heinrich Schulte; Durchf.: Siemens AG, München Eggenstein-Leopoldshafen 1982 72 S. [engl.Zusammenfass.]; 33 Fig.; 8 Tab. Forschungsbericht, Bundesministerium für Forschung und Technologie T 82-220 1982/220 (NEBIS)004295535 156016613 FERTIGUNG IN DER ELEKTROTECHNIK, ELEKTRONIK, MIKRO-, NANOELEKTRONIK ger (ETHUDK)000051815 ethudk HÖCHSTINTEGRIERTE SCHALTUNGEN, VLSI (MIKROELEKTRONIK) ger (ETHUDK)000028112 ethudk METALLOXID-HALBLEITER-INTEGRIERTE SCHALTUNGEN, MOS (MIKROELEKTRONIK) ger (ETHUDK)000028118 ethudk u METALLOXID-HALBLEITER-INTEGRIERTE SCHALTUNGEN, MOS (MIKROELEKTRONIK) ger 621.3.049.774.2 nebis E1 u HÖCHSTINTEGRIERTE SCHALTUNGEN, VLSI (MIKROELEKTRONIK) ger 621.3.049.771.15 nebis E1 u FERTIGUNG IN DER ELEKTROTECHNIK, ELEKTRONIK, MIKRO-, NANOELEKTRONIK ger 621.3,3%658.51 nebis E1 u CIRCUITS INTÉGRÉS À SEMI-CONDUCTEUR D'OXYDE MÉTAL, MOS (MICROÉLECTRONIQUE) fre 621.3.049.774.2 nebis E1 u METAL OXIDE SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUITS, MOS (MICROELECTRONICS) eng 621.3.049.774.2 nebis E1 u INTÉGRATION À TRÈS GRANDE ÉCHELLE, VLSI (MICROÉLECTRONIQUE) fre 621.3.049.771.15 nebis E1 u VERY LARGE SCALE INTEGRATED CIRCUITS, VLSI (MICROELECTRONICS) eng 621.3.049.771.15 nebis E1 u FABRICATION EN ÉLECTROTECHNIQUE, ÉLECTRONIQUE, MICROÉLECTRONIQUE, NANOÉLECTRONIQUE fre 621.3,3%658.51 nebis E1 u PRODUCTION IN ELECTRICAL ENGINEERING, ELECTRONICS, MICRO-, NANOELECTRONICS eng 621.3,3%658.51 nebis E1 Horninger Karlheinz Rüttenauer Winfried Schulte Heinrich BK020000 XK020000 XK020000 NEBIS E01 E01 MG P 412453: 1982/220 NEBIS 490 -- Forschungsbericht, Bundesministerium für Forschung und Technologie T 82-220 1982/220 (NEBIS)004295535 156016613 NEBIS 700 1- Horninger Karlheinz NEBIS 700 1- Rüttenauer Winfried NEBIS 700 1- Schulte Heinrich