cam a22 u 4500 128635754 CHVBK 20200921121617.0 880212s1981 gw | mm 00 |ger|d Vornamensinitialen im Dokument nicht aufgelöst HMI-B-368 (OCoLC)74666805 (NEBIS)000260413 ETH-BIB ger ETH-BIB ETHICS-ISBD Die Charakterisierung vergrabener Schichten nach umdotierender Ionenimplantation in Silizium im Hinblick auf das "Buried Channel Charge-Coupled Device" H.-G.Bach Berlin-Wannsee 1981 261 S. [engl.Zusammenfass.]; Fig.; Diagr. HMI-B 368 368 (NEBIS)000021719 298868512 Diss., Techn. Univ. Berlin HALBLEITER + HALBLEITERTECHNOLOGIE (ELEKTROTECHNIK) ger (ETHUDK)000028267 ethudk IONENIMPLANTATION (ELEKTRODYNAMIK) ger (ETHUDK)000015158 ethudk SILICIUM (CHEMISCHE ELEMENTE) ger (ETHUDK)000016794 ethudk Hochschulschrift gnd-content u HALBLEITER + HALBLEITERTECHNOLOGIE (ELEKTROTECHNIK) ger 621.315.592 nebis E1 u IONENIMPLANTATION (ELEKTRODYNAMIK) ger 537.534.08*1 nebis E1 u SILICIUM (CHEMISCHE ELEMENTE) ger 546.28 nebis E1 u SEMI-CONDUCTEURS + TECHNOLOGIE DES SEMI-CONDUCTEURS (ÉLECTROTECHNIQUE) fre 621.315.592 nebis E1 u SEMICONDUCTORS + SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY (ELECTRICAL ENGINEERING) eng 621.315.592 nebis E1 u IMPLANTATION D'IONS (ÉLECTRODYNAMIQUE) fre 537.534.08*1 nebis E1 u ION IMPLANTATION (ELECTRODYNAMICS) eng 537.534.08*1 nebis E1 u SILICIUM (ÉLÉMENTS CHIMIQUES) fre 546.28 nebis E1 u SILICON (CHEMICAL ELEMENTS) eng 546.28 nebis E1 Bach H.-G BK020300 XK020000 XK020000 1 Hochschulschrift = Thèse/Mémoire NEBIS E16 E16 RH Rep D 06: 368 NEBIS 490 -- HMI-B 368 368 (NEBIS)000021719 298868512 NEBIS 700 1- Bach H.-G