cam a22 u 4500 128654341 CHVBK 20200921121634.0 880212s1982 gw | 00 |ger|d BMFT-FB-T-82-219 (OCoLC)636111342 (NEBIS)000266187 ETH-BIB ger ETH-BIB ETHICS-ISBD Neue Architekturmerkmale und Entwicklungsverfahren für VLSI-Prozessoren (Development methods for VLSI-processors) Gerd Sandweg, Karlheinrich Horninger, Ulrich Theus, Ulrich Ludemann; Durchf.: Siemens AG, München Eggenstein-Leopoldshafen 1982 71 S. [Text: deutsch; engl.Zusammenfass.]; 36 Fig.; 1 Tab. Forschungsbericht, Bundesministerium für Forschung und Technologie T 82-219 1982/219 (NEBIS)004295535 156016613 METALLOXID-HALBLEITER-INTEGRIERTE SCHALTUNGEN, MOS (MIKROELEKTRONIK) ger (ETHUDK)000028118 ethudk u METALLOXID-HALBLEITER-INTEGRIERTE SCHALTUNGEN, MOS (MIKROELEKTRONIK) ger 621.3.049.774.2 nebis E1 u CIRCUITS INTÉGRÉS À SEMI-CONDUCTEUR D'OXYDE MÉTAL, MOS (MICROÉLECTRONIQUE) fre 621.3.049.774.2 nebis E1 u METAL OXIDE SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUITS, MOS (MICROELECTRONICS) eng 621.3.049.774.2 nebis E1 Sandweg Gerd Horninger Karlheinrich Theus Ulrich Ludemann Ulrich BK020000 XK020000 XK020000 NEBIS E01 E01 MG P 412453: 1982/219 NEBIS 490 -- Forschungsbericht, Bundesministerium für Forschung und Technologie T 82-219 1982/219 (NEBIS)004295535 156016613 NEBIS 700 1- Sandweg Gerd NEBIS 700 1- Horninger Karlheinrich NEBIS 700 1- Theus Ulrich NEBIS 700 1- Ludemann Ulrich