cam a22 u 4500 128664282 CHVBK 20200921121646.0 880212s1978 gw | mm 00 |ger|d HMI-B-280 (OCoLC)64259166 (NEBIS)000277327 ETH-BIB ger ETH-BIB ETHICS-ISBD Leitungsmechanismen in thermisch oxidiertem Siliciumdioxid, das mit Hilfe der Ionenimplantation dotiert wird Dietmar Haack Berlin 1978 137 S. 30 cm Fig.; Diagr.; Tab. HMI-B 280 280 (NEBIS)000021719 298868512 Diss., Techn. Univ. Berlin LEITFÄHIGKEIT VON HALBLEITERN (ELEKTRODYNAMIK) ger (ETHUDK)000015095 ethudk SILICIUMDIOXID (ANORGANISCHE CHEMIE) ger (ETHUDK)000016823 ethudk Hochschulschrift gnd-content u SILICIUMDIOXID (ANORGANISCHE CHEMIE) ger 546.284-31 nebis E1 u LEITFÄHIGKEIT VON HALBLEITERN (ELEKTRODYNAMIK) ger 537.311.322 nebis E1 u DIOXYDE DE SILICIUM (CHIMIE INORGANIQUE) fre 546.284-31 nebis E1 u SILICON DIOXIDE (INORGANIC CHEMISTRY) eng 546.284-31 nebis E1 u CONDUCTIBILITÉ DANS LES SEMICONDUCTEURS (ÉLECTRODYNAMIQUE) fre 537.311.322 nebis E1 u CONDUCTIVITY OF SEMICONDUCTORS (ELECTRODYNAMICS) eng 537.311.322 nebis E1 Haack Dietmar BK020300 XK020000 XK020000 1 Hochschulschrift = Thèse/Mémoire NEBIS E16 E16 RH Rep D 06: 280 NEBIS 490 -- HMI-B 280 280 (NEBIS)000021719 298868512 NEBIS 700 1- Haack Dietmar