cam a22 u 4500 128682728 CHVBK 20200921070431.0 he ||||-|||| 880212s1979 xxu |bmm 00 |eng|d LBL-9990 (OCoLC)637386794 (NEBIS)000277319 ETH-BIB ger ETH-BIB ETHICS-ISBD A model of the recrystallization mechanism of amorphous silicon layers created by ion implantation Mikroform Robert M. Drosd Berkeley, CA Lawrence Berkeley Laboratory 1979 1 Mikrofiche Diss., Univ. of California, Berkeley, 1979 AMORPHER ZUSTAND (CHEMIE UND PHYSIK) ger (ETHUDK)000015823 ethudk EIGENSCHAFTEN DÜNNER SCHICHTEN (PHYSIK VON MOLEKULARSYSTEMEN) ger (ETHUDK)000015672 ethudk IONENIMPLANTATION (ELEKTRODYNAMIK) ger (ETHUDK)000015158 ethudk SILICIUM (CHEMISCHE ELEMENTE) ger (ETHUDK)000016794 ethudk Hochschulschrift gnd-content u SILICIUM (CHEMISCHE ELEMENTE) ger 546.28 nebis E1 u AMORPHER ZUSTAND (CHEMIE UND PHYSIK) ger 54-161 nebis E1 u EIGENSCHAFTEN DÜNNER SCHICHTEN (PHYSIK VON MOLEKULARSYSTEMEN) ger 539.216.2 nebis E1 u IONENIMPLANTATION (ELEKTRODYNAMIK) ger 537.534.08*1 nebis E1 u SILICIUM (ÉLÉMENTS CHIMIQUES) fre 546.28 nebis E1 u SILICON (CHEMICAL ELEMENTS) eng 546.28 nebis E1 u ÉTAT AMORPHE DE LA MATIÈRE (CHIMIE ET PHYSIQUE) fre 54-161 nebis E1 u AMORPHOUS STATE OF SUBSTANCE (CHEMISTRY AND PHYSICS) eng 54-161 nebis E1 u PROPERTIES OF THIN LAYERS (PHYSICS OF MOLECULAR SYSTEMS) eng 539.216.2 nebis E1 u PROPRIÉTÉS DES COUCHES MINCES (PHYSIQUE DES SYSTÈMES MOLÉCULAIRES) fre 539.216.2 nebis E1 u IMPLANTATION D'IONS (ÉLECTRODYNAMIQUE) fre 537.534.08*1 nebis E1 u ION IMPLANTATION (ELECTRODYNAMICS) eng 537.534.08*1 nebis E1 Drosd Robert M. BK020000 XK020000 XK020000 1 MF Mikrofiche = Microfiche 1 Hochschulschrift = Thèse/Mémoire NEBIS E01 E01 RP MIKR: LBL9990 NEBIS 700 1- Drosd Robert M.