cam a22 u 4500 12870232X CHVBK 20201009205036.0 880212s1982 gw | 00 |ger|d 3-531-03133-3 (OCoLC)299635266 (NEBIS)000258160 ETH-BIB ger ETH-BIB ETHICS-ISBD Einfluss von Getterprozessen auf die Eigenschaften von ionenimplantierten integrierten Fotodioden Bernd Höfflinger, Günter Zimmer, Heinz Gerd Graf Opladen Westdeutscher Verlag 1982 42 S. 28 Fig. Forschungsberichte des Landes Nordrhein-Westfalen Nr.3133, Fachgruppe Elektrotechnik/Optik 3133 (NEBIS)000022597 126386358 METALLOXID-HALBLEITER-INTEGRIERTE SCHALTUNGEN, MOS (MIKROELEKTRONIK) ger (ETHUDK)000028118 ethudk u METALLOXID-HALBLEITER-INTEGRIERTE SCHALTUNGEN, MOS (MIKROELEKTRONIK) ger 621.3.049.774.2 nebis E1 u CIRCUITS INTÉGRÉS À SEMI-CONDUCTEUR D'OXYDE MÉTAL, MOS (MICROÉLECTRONIQUE) fre 621.3.049.774.2 nebis E1 u METAL OXIDE SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUITS, MOS (MICROELECTRONICS) eng 621.3.049.774.2 nebis E1 Höfflinger Bernd Zimmer Günter Graf Heinz Gerd BK020000 XK020000 XK020000 NEBIS E16 E16 RH P C 227: 3133 NEBIS 490 -- Forschungsberichte des Landes Nordrhein-Westfalen Nr.3133, Fachgruppe Elektrotechnik/Optik 3133 (NEBIS)000022597 126386358 NEBIS 700 1- Höfflinger Bernd NEBIS 700 1- Zimmer Günter NEBIS 700 1- Graf Heinz Gerd