Trennung von Volumen- und Oberflächenrekombination in Silizium

Verfasser / Beitragende:
Hans-Christoph Ostendorf
Ort, Verlag, Jahr:
Garching : Verein zur Förderung des Walter Schottky Instituts der Technischen Universität München, 1998
Beschreibung:
V, 128 S. : Ill., z.T. farb. ; 21 cm
Format:
Buch (Hochschulschrift)
ID: 143836544