Doppelkristall-Röntgendiffraktometrie mit hoher Ortsauflösung an selektiv abgeschiedenen III-V-Halbleiterschichten für die Optoelektronik
Gespeichert in:
Verfasser / Beitragende:
von Angelika Iberl
Ort, Verlag, Jahr:
Regensburg :
1998
Beschreibung:
100 S. : Ill., Tab.
Format:
Buch (Hochschulschrift)