Physikalische Modellierung der Ionenimplantation in Silizium
Gespeichert in:
Verfasser / Beitragende:
von Gerhard Hobler
Ort, Verlag, Jahr:
Wien :
1995
Beschreibung:
1 Band (mehrere Zählungen) : Ill. ; 30 cm
Format:
Buch (Hochschulschrift)