Physikalische Modellierung der Ionenimplantation in Silizium

Verfasser / Beitragende:
von Gerhard Hobler
Ort, Verlag, Jahr:
Wien : 1995
Beschreibung:
1 Band (mehrere Zählungen) : Ill. ; 30 cm
Format:
Buch (Hochschulschrift)
ID: 143913077