Wide gap II-VI semiconductor heterostructures

MBE growth, biexcitonic and excitonic properties

Verfasser / Beitragende:
submitted by Guokui Kuang
Ort, Verlag, Jahr:
Regensburg : 1998
Beschreibung:
II, 129 S. : Ill., Tab.
Format:
Buch (Hochschulschrift)
ID: 143966944