Wide gap II-VI semiconductor heterostructures
MBE growth, biexcitonic and excitonic properties
Gespeichert in:
Verfasser / Beitragende:
submitted by Guokui Kuang
Ort, Verlag, Jahr:
Regensburg :
1998
Beschreibung:
II, 129 S. : Ill., Tab.
Format:
Buch (Hochschulschrift)