cam a22 4 4500 357349725 CHVBK 20201009122755.0 cr || |||||||| 051103s2016 sz m 00 eng 10.5075/epfl-thesis-6884 doi (OCoLC)942355153 (NEBIS)010572756 SzZuIDS NEBIS EPF-BIB Multiple-Independent-Gate Field-Effect Transistors for High Computational Density and Low Power Consumption par Jian Zhang Lausanne EPFL 2016 136 p. ill. Thèse École polytechnique fédérale de Lausanne EPFL, n° 6884 (2015) Mots-clés de l'auteur: nanowire ; FinFET ; steep-subthreshold-slope ; multi-threshold-voltage ; polarity control ; simulation ; compact modeling ; fabrication ; logic design ; low power FELDEFFEKTTRANSISTOREN, FET (ELEKTRONIK) ger (ETHUDK)000028662 ethudk LOGISCHER ENTWURF + LOGISCHE SCHALTKREISE (HARDWARE) ger (ETHUDK)000034735 ethudk NANODRÄHTE ger (ETHUDK)000063743 ethudk Hochschulschrift gnd-content u FELDEFFEKTTRANSISTOREN, FET (ELEKTRONIK) ger 621.382.323 nebis E1 u NANODRÄHTE ger 620.22,63 nebis E1 u LOGISCHER ENTWURF + LOGISCHE SCHALTKREISE (HARDWARE) ger 004*02*07 nebis E1 u FIELD EFFECT TRANSISTORS, FET (ELECTRONICS) eng 621.382.323 nebis E1 u TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP, FET (ÉLECTRONIQUE) fre 621.382.323 nebis E1 u NANOFILS fre 620.22,63 nebis E1 u NANOWIRES eng 620.22,63 nebis E1 u LOGIC DESIGN + LOGIC CIRCUITS (HARDWARE) eng 004*02*07 nebis E1 u CIRCUITS LOGIQUES (HARDWARE) fre 004*02*07 nebis E1 Zhang Jian (DE-588)113482345 De Micheli Giovanni 1955- (DE-588)114063575 Akademischer Betreuer dgs https://dx.doi.org/10.5075/epfl-thesis-6884 Online via EPFL E-Library E02 BK020353 XK020053 XK020000 1 Hochschulschrift = Thèse/Mémoire 2 CF Elektron. Daten Fernzugriff=Fichier online EPF nebis E2 e-library 2015 these nebis EC 055 E01-20161107 NEBIS E16 E16 RH HB 17638 NEBIS E02 E02 E02SP ZTH 6884 NEBIS 700 1- Zhang Jian (DE-588)113482345 NEBIS 700 1- De Micheli Giovanni 1955- (DE-588)114063575 Akademischer Betreuer dgs NEBIS 856 -- https://dx.doi.org/10.5075/epfl-thesis-6884 Online via EPFL E-Library E02 SWISSBIB 357349725