caa a22 4500 388018895 CHVBK 20180307124918.0 cr unu---uuuuu 161130e199806 xx s 000 0 eng 10.1557/JMR.1998.0202 doi S0884291400044381 pii (NATIONALLICENCE)cambridge-10.1557/JMR.1998.0202 Epitaxial growth of SrTiO3 (00h), (0hh), and (hhh) thin films on buffered Si(001) [Elektronische Daten] Epitaxial SrTiO3(STO) thin films have been grown successfully on Si(001) buffered with single and double buffer layers by pulsed laser deposition. Depending on the buffer structure and under appropriate substrate temperature and oxygen pressure values, epitaxial films are grown with single orientations. Epitaxial STO films with (0hh), (00h), and (hhh) out-of-plane orientation have been obtained for the first time on yttria-stabilized zirconia (YSZ)ySi(001), CeO2/YSZ/Si(001), and TiN/YSZ/Si(001), respectively. Secondary ion mass spectrometry analyses show sharp interfaces and good uniformity of the elements in each layer. The films are practically free of droplets, and the rms value of roughness is smaller than 0.5 nm. Copyright © Materials Research Society 1998 Sáanchez F. Departament de Física Aplicada i Electrònica, Universitat de Barcelona, Avda. Diagonal 647, E-08028 Barcelona, Spain Aguiar R. Departament de Física Aplicada i Electrònica, Universitat de Barcelona, Avda. Diagonal 647, E-08028 Barcelona, Spain Trtik V. Departament de Física Aplicada i Electrònica, Universitat de Barcelona, Avda. Diagonal 647, E-08028 Barcelona, Spain Guerrero C. Departament de Física Aplicada i Electrònica, Universitat de Barcelona, Avda. Diagonal 647, E-08028 Barcelona, Spain Ferrater C. Departament de Física Aplicada i Electrònica, Universitat de Barcelona, Avda. Diagonal 647, E-08028 Barcelona, Spain Varela M. Departament de Física Aplicada i Electrònica, Universitat de Barcelona, Avda. Diagonal 647, E-08028 Barcelona, Spain Journal of Materials Research Cambridge University Press 13/6(1998-06), 1422-1425 0884-2914 13:6<1422 1998 13 JMR https://doi.org/10.1557/JMR.1998.0202 text/html Onlinezugriff via DOI 1 research-article jats NATIONALLICENCE 856 40 https://doi.org/10.1557/JMR.1998.0202 text/html Onlinezugriff via DOI NATIONALLICENCE 700 1- Sáanchez F. Departament de Física Aplicada i Electrònica, Universitat de Barcelona, Avda. Diagonal 647, E-08028 Barcelona, Spain NATIONALLICENCE 700 1- Aguiar R. Departament de Física Aplicada i Electrònica, Universitat de Barcelona, Avda. Diagonal 647, E-08028 Barcelona, Spain NATIONALLICENCE 700 1- Trtik V. Departament de Física Aplicada i Electrònica, Universitat de Barcelona, Avda. Diagonal 647, E-08028 Barcelona, Spain NATIONALLICENCE 700 1- Guerrero C. Departament de Física Aplicada i Electrònica, Universitat de Barcelona, Avda. Diagonal 647, E-08028 Barcelona, Spain NATIONALLICENCE 700 1- Ferrater C. Departament de Física Aplicada i Electrònica, Universitat de Barcelona, Avda. Diagonal 647, E-08028 Barcelona, Spain NATIONALLICENCE 700 1- Varela M. Departament de Física Aplicada i Electrònica, Universitat de Barcelona, Avda. Diagonal 647, E-08028 Barcelona, Spain NATIONALLICENCE 773 0- Journal of Materials Research Cambridge University Press 13/6(1998-06), 1422-1425 0884-2914 13:6<1422 1998 13 JMR CC0 http://creativecommons.org/publicdomain/zero/1.0 nationallicence BK010053 XK010053 XK010000 NATIONALLICENCE NATIONALLICENCE NL-cambridge