Influence of delta〈Mn〉 doping parameters of the GaAs barrier on circularly polarized luminescence of GaAs/InGaAs heterostructures
Gespeichert in:
Verfasser / Beitragende:
[M. Dorokhin, S. Zaĭtsev, A. Brichkin, O. Vikhrova, Yu. Danilov, B. Zvonkov, V. Kulakovskiĭ, M. Prokof'eva, A. Sholina]
Ort, Verlag, Jahr:
2010
Enthalten in:
Physics of the Solid State, 52/11(2010-11-01), 2291-2296
Format:
Artikel (online)
Online Zugang: