Studying edge luminescence of n- 3C-SiC epilayers grown on 6H-SiC substrates
Gespeichert in:
Verfasser / Beitragende:
[A. Lebedev, P. Abramov, E. Bogdanova, S. Lebedev, D. Nel'son, B. Razbirin, A. Tregubova]
Ort, Verlag, Jahr:
2010
Enthalten in:
Technical Physics Letters, 36/6(2010-06-01), 504-506
Format:
Artikel (online)
Online Zugang: