Anisotropic magnetoresistance and planar hall effect in GaAs structure with Mn-delta-doped layer

Verfasser / Beitragende:
[A. Kudrin, O. Vikhrova, Yu. Danilov]
Ort, Verlag, Jahr:
2010
Enthalten in:
Technical Physics Letters, 36/6(2010-06-01), 511-513
Format:
Artikel (online)
ID: 445128143