Use of sublimation epitaxy for obtaining volume 3C-SiC crystals
Gespeichert in:
Verfasser / Beitragende:
[A. Lebedev, P. Abramov, A. Zubrilov, E. Bogdanova, S. Lebedev, N. Seredova, A. Tregubova]
Ort, Verlag, Jahr:
2010
Enthalten in:
Technical Physics Letters, 36/6(2010-06-01), 574-576
Format:
Artikel (online)
Online Zugang: