Temperature stability of photoluminescence in heterostructures with InGaAs/GaAs quantum well and Mn-delta-doped acceptor layer in GaAs barrier
Gespeichert in:
Verfasser / Beitragende:
[M. Dorokhin, Yu. Danilov, M. Prokof'eva, A. Sholina]
Ort, Verlag, Jahr:
2010
Enthalten in:
Technical Physics Letters, 36/9(2010-09-01), 819-822
Format:
Artikel (online)
Online Zugang: