Effect of the nitrogen ion energy on the MBE growth of thin gallium nitride films

Verfasser / Beitragende:
[D. Kulikov, Yu. Trushin, V. Kharlamov]
Ort, Verlag, Jahr:
2010
Enthalten in:
Technical Physics Letters, 36/3(2010-03-01), 262-264
Format:
Artikel (online)
ID: 44512931X