Temperature dependence of the dielectric parameters of thin arsenic triselenide layers with high bismuth content
Gespeichert in:
Verfasser / Beitragende:
[R. Castro, V. Bordovskiĭ, G. Grabko]
Ort, Verlag, Jahr:
2010
Enthalten in:
Technical Physics Letters, 36/10(2010-10-01), 966-968
Format:
Artikel (online)
Online Zugang: