Studying defect structure of GaN epilayers by means of three-beam X-ray diffraction analysis
Gespeichert in:
Verfasser / Beitragende:
[R. Kyutt]
Ort, Verlag, Jahr:
2010
Enthalten in:
Technical Physics Letters, 36/8(2010-08-01), 690-693
Format:
Artikel (online)
Online Zugang: