Chloride vapor-phase epitaxy of gallium nitride at a reduced source temperature

Verfasser / Beitragende:
[Yu. Zhilyaev, S. Rodin]
Ort, Verlag, Jahr:
2010
Enthalten in:
Technical Physics Letters, 36/5(2010-05-01), 397-399
Format:
Artikel (online)
ID: 445130474