Chloride vapor-phase epitaxy of gallium nitride at a reduced source temperature
Gespeichert in:
Verfasser / Beitragende:
[Yu. Zhilyaev, S. Rodin]
Ort, Verlag, Jahr:
2010
Enthalten in:
Technical Physics Letters, 36/5(2010-05-01), 397-399
Format:
Artikel (online)
Online Zugang: