High-efficiency InGaN/GaN/AlGaN light-emitting diodes with short-period InGaN/GaN superlattice for 530-560 nm range

Verfasser / Beitragende:
[W. Lundin, A. Nikolaev, A. Sakharov, E. Zavarin, S. Usov, V. Sizov, A. Zakgeim, A. Chernyakov, A. Tsatsul'nikov]
Ort, Verlag, Jahr:
2010
Enthalten in:
Technical Physics Letters, 36/11(2010-11-01), 1066-1068
Format:
Artikel (online)
ID: 445130989