caa a22 4500 445305886 CHVBK 20180317142612.0 cr unu---uuuuu 170323e20110501xx s 000 0 eng 10.1007/s10762-010-9647-7 doi (NATIONALLICENCE)springer-10.1007/s10762-010-9647-7 Field Effect Transistors for Terahertz Detection and Emission [Elektronische Daten] [Wojciech Knap, Salman Nadar, Hadley Videlier, Stephane Boubanga-Tombet, Dominique Coquillat, Nina Dyakonova, Frederic Teppe, Kristoph Karpierz, Jerzy Łusakowski, Maciej Sakowicz, Irmantas Kasalynas, Dalius Seliuta, Gintaras Valusis, Taiichi Otsuji, Yahya Meziani, Abdel El Fatimy, Simon Vandenbrouk, Kamel Madjour, Didier Théron, Christophe Gaquière] Resonant frequencies of the two-dimensional plasma in field effect transistors (FETs) increase with the reduction of the channel dimensions and can reach the Terahertz (THz) range. Nonlinear properties of the plasma/electron gas in the transistor channel can be used for the rectification and detection of THz radiation. The excitation of plasma waves by sub-THz and THz radiation was demonstrated for short gate transistors at cryogenic temperatures. At room temperature plasma oscillations are usually overdamped, but the FETs can still operate as efficient broadband rectifiers/detectors in the THz range. We present a few recent experimental results on THz detection by FETs showing some new ways of improvement of FETs for THz imaging at room temperature as well as the new physical phenomena like detection in quantizing magnetic fields. We also demonstrate THz emission properties of GaN based FETs. Springer Science+Business Media, LLC, 2010 TeraHertz detectors nationallicence Field-effect transistors nationallicence Plasma waves nationallicence Imaging nationallicence Knap Wojciech Groupe d'Etude des Semiconducteurs UMR5650, Université Montpellier2 & CNRS, Place. E. Bataillon, 34095, Montpellier, France aut Nadar Salman Groupe d'Etude des Semiconducteurs UMR5650, Université Montpellier2 & CNRS, Place. E. Bataillon, 34095, Montpellier, France aut Videlier Hadley Groupe d'Etude des Semiconducteurs UMR5650, Université Montpellier2 & CNRS, Place. E. Bataillon, 34095, Montpellier, France aut Boubanga-Tombet Stephane Groupe d'Etude des Semiconducteurs UMR5650, Université Montpellier2 & CNRS, Place. E. Bataillon, 34095, Montpellier, France aut Coquillat Dominique Groupe d'Etude des Semiconducteurs UMR5650, Université Montpellier2 & CNRS, Place. E. Bataillon, 34095, Montpellier, France aut Dyakonova Nina Groupe d'Etude des Semiconducteurs UMR5650, Université Montpellier2 & CNRS, Place. E. Bataillon, 34095, Montpellier, France aut Teppe Frederic Groupe d'Etude des Semiconducteurs UMR5650, Université Montpellier2 & CNRS, Place. E. Bataillon, 34095, Montpellier, France aut Karpierz Kristoph Institute of Experimental Physics, ul. Hoża 69, 00-681, Warsaw, Poland aut Łusakowski Jerzy Institute of Experimental Physics, ul. Hoża 69, 00-681, Warsaw, Poland aut Sakowicz Maciej Institute of Experimental Physics, ul. Hoża 69, 00-681, Warsaw, Poland aut Kasalynas Irmantas Semiconductor Physics Institute, Center for Physical Sciences and Technology, A. Gostauto 11, LT-01108, Vilnius, Lithuania aut Seliuta Dalius Semiconductor Physics Institute, Center for Physical Sciences and Technology, A. Gostauto 11, LT-01108, Vilnius, Lithuania aut Valusis Gintaras Semiconductor Physics Institute, Center for Physical Sciences and Technology, A. Gostauto 11, LT-01108, Vilnius, Lithuania aut Otsuji Taiichi Tohoku University RIEC Ultra-broadband Signal Processing 2-1-1 Katahira, 980-8577, Aoba-ku, Japan aut Meziani Yahya Departamento de Física Aplicada, Universidad de Salamanca, Pza. de la Merced s/n, Edificio, Trilingüe, 37008, Salamanca, Spain aut El Fatimy Abdel Cardiff School of Physics and Astronomy, Cardiff University, CF24 3AA, Cardiff, UK aut Vandenbrouk Simon Institut d'Electronique et de Microélectronique du Nord, UMR CNRS 8520, Villeneuve d'Acsq, France aut Madjour Kamel Institut d'Electronique et de Microélectronique du Nord, UMR CNRS 8520, Villeneuve d'Acsq, France aut Théron Didier Institut d'Electronique et de Microélectronique du Nord, UMR CNRS 8520, Villeneuve d'Acsq, France aut Gaquière Christophe Institut d'Electronique et de Microélectronique du Nord, UMR CNRS 8520, Villeneuve d'Acsq, France aut Journal of Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves Springer US; http://www.springer-ny.com 32/5(2011-05-01), 618-628 1866-6892 32:5<618 2011 32 10762 https://doi.org/10.1007/s10762-010-9647-7 text/html Onlinezugriff via DOI 1 research-article jats NATIONALLICENCE 856 40 https://doi.org/10.1007/s10762-010-9647-7 text/html Onlinezugriff via DOI NATIONALLICENCE 700 1- Knap Wojciech Groupe d'Etude des Semiconducteurs UMR5650, Université Montpellier2 & CNRS, Place. E. Bataillon, 34095, Montpellier, France aut NATIONALLICENCE 700 1- Nadar Salman Groupe d'Etude des Semiconducteurs UMR5650, Université Montpellier2 & CNRS, Place. E. Bataillon, 34095, Montpellier, France aut NATIONALLICENCE 700 1- Videlier Hadley Groupe d'Etude des Semiconducteurs UMR5650, Université Montpellier2 & CNRS, Place. E. Bataillon, 34095, Montpellier, France aut NATIONALLICENCE 700 1- Boubanga-Tombet Stephane Groupe d'Etude des Semiconducteurs UMR5650, Université Montpellier2 & CNRS, Place. E. Bataillon, 34095, Montpellier, France aut NATIONALLICENCE 700 1- Coquillat Dominique Groupe d'Etude des Semiconducteurs UMR5650, Université Montpellier2 & CNRS, Place. E. Bataillon, 34095, Montpellier, France aut NATIONALLICENCE 700 1- Dyakonova Nina Groupe d'Etude des Semiconducteurs UMR5650, Université Montpellier2 & CNRS, Place. E. Bataillon, 34095, Montpellier, France aut NATIONALLICENCE 700 1- Teppe Frederic Groupe d'Etude des Semiconducteurs UMR5650, Université Montpellier2 & CNRS, Place. E. Bataillon, 34095, Montpellier, France aut NATIONALLICENCE 700 1- Karpierz Kristoph Institute of Experimental Physics, ul. Hoża 69, 00-681, Warsaw, Poland aut NATIONALLICENCE 700 1- Łusakowski Jerzy Institute of Experimental Physics, ul. Hoża 69, 00-681, Warsaw, Poland aut NATIONALLICENCE 700 1- Sakowicz Maciej Institute of Experimental Physics, ul. Hoża 69, 00-681, Warsaw, Poland aut NATIONALLICENCE 700 1- Kasalynas Irmantas Semiconductor Physics Institute, Center for Physical Sciences and Technology, A. Gostauto 11, LT-01108, Vilnius, Lithuania aut NATIONALLICENCE 700 1- Seliuta Dalius Semiconductor Physics Institute, Center for Physical Sciences and Technology, A. Gostauto 11, LT-01108, Vilnius, Lithuania aut NATIONALLICENCE 700 1- Valusis Gintaras Semiconductor Physics Institute, Center for Physical Sciences and Technology, A. Gostauto 11, LT-01108, Vilnius, Lithuania aut NATIONALLICENCE 700 1- Otsuji Taiichi Tohoku University RIEC Ultra-broadband Signal Processing 2-1-1 Katahira, 980-8577, Aoba-ku, Japan aut NATIONALLICENCE 700 1- Meziani Yahya Departamento de Física Aplicada, Universidad de Salamanca, Pza. de la Merced s/n, Edificio, Trilingüe, 37008, Salamanca, Spain aut NATIONALLICENCE 700 1- El Fatimy Abdel Cardiff School of Physics and Astronomy, Cardiff University, CF24 3AA, Cardiff, UK aut NATIONALLICENCE 700 1- Vandenbrouk Simon Institut d'Electronique et de Microélectronique du Nord, UMR CNRS 8520, Villeneuve d'Acsq, France aut NATIONALLICENCE 700 1- Madjour Kamel Institut d'Electronique et de Microélectronique du Nord, UMR CNRS 8520, Villeneuve d'Acsq, France aut NATIONALLICENCE 700 1- Théron Didier Institut d'Electronique et de Microélectronique du Nord, UMR CNRS 8520, Villeneuve d'Acsq, France aut NATIONALLICENCE 700 1- Gaquière Christophe Institut d'Electronique et de Microélectronique du Nord, UMR CNRS 8520, Villeneuve d'Acsq, France aut NATIONALLICENCE 773 0- Journal of Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves Springer US; http://www.springer-ny.com 32/5(2011-05-01), 618-628 1866-6892 32:5<618 2011 32 10762 Metadata rights reserved Springer special CC-BY-NC licence nationallicence BK010053 XK010053 XK010000 NATIONALLICENCE NATIONALLICENCE NL-springer