Dependence of the brightness of the radiation of diffused p-n junctions in silicon carbide on the injection current density
Gespeichert in:
Verfasser / Beitragende:
[I. Kryachko]
Ort, Verlag, Jahr:
1968
Enthalten in:
Soviet Physics Journal, 11/12(1968-12-01), 110-112
Format:
Artikel (online)
Online Zugang: