Effect of anisotropic pressure on the parameters of silicon diodes
Gespeichert in:
Verfasser / Beitragende:
[V. Gaman, V. Agafonnikov]
Ort, Verlag, Jahr:
1968
Enthalten in:
Soviet Physics Journal, 11/10(1968-10-01), 27-30
Format:
Artikel (online)
Online Zugang: