Injection-level dependence of the surface recombination rate of the base of alloyed germanium diodes

Verfasser / Beitragende:
[V. Gaman, V. Kalygina, F. Baltakov]
Ort, Verlag, Jahr:
1968
Enthalten in:
Soviet Physics Journal, 11/11(1968-11-01), 103-105
Format:
Artikel (online)
ID: 45035010X