Formation of the GaAs-Ge heterointerface in the presence of oxide

Verfasser / Beitragende:
[S. Suprun, E. Fedosenko]
Ort, Verlag, Jahr:
2009
Enthalten in:
JETP Letters, 89/2(2009-03-01), 84-87
Format:
Artikel (online)
ID: 453677142