Distribution of germanium in Si1 − x Ge x ( x < 0.1) layers grown on the Si(001) substrate as a function of layer thickness
Gespeichert in:
Verfasser / Beitragende:
[V. Bagaev, V. Krivobok, V. Martovitsky, A. Novikov]
Ort, Verlag, Jahr:
2009
Enthalten in:
Journal of Experimental and Theoretical Physics, 109/6(2009-12-01), 997-1010
Format:
Artikel (online)
Online Zugang: