caa a22 4500 463213076 CHVBK 20180405153147.0 cr unu---uuuuu 170326e20071201xx s 000 0 eng 10.1007/s00339-007-4250-z doi (NATIONALLICENCE)springer-10.1007/s00339-007-4250-z Growth of InAs nanostructures on InP using atomic-force nanolithography [Elektronische Daten] [H.D. Fonseca Filho, R. Prioli, M.P. Pires, A.S. Lopes, P.L. Souza, F.A. Ponce] Atomic-force nanolithography was used to control the nucleation sites of InAs nanostructures on InP substrates. Indentations with a wide range of dimensions were produced on InP. InAs nanostructures were selectively grown by metal organic vapor phase epitaxy. It is shown that the number of active nucleation sites depends on the normal force applied during nanoindentation. Crystalline defects introduced by nanoindentation are shown to be nucleation sites for these nanostructures. The presence of screw dislocations within the grown nanostructures further supports this observation. Springer-Verlag, 2007 Fonseca Filho H.D. Departamento de Física, Pontifícia Universidade Católica do Rio de Janeiro, Marques de São Vicente 225, 22453-900, Rio de Janeiro, Rio de Janeiro, Brazil aut Prioli R. Departamento de Física, Pontifícia Universidade Católica do Rio de Janeiro, Marques de São Vicente 225, 22453-900, Rio de Janeiro, Rio de Janeiro, Brazil aut Pires M.P. Departamento de Física, Universidade Federal do Rio de Janeiro, Caixa Postal 68528, 21945-970, Rio de Janeiro, Brazil aut Lopes A.S. Laboratório de Semicondutores, Centro de Estudos em Telecomunicações Pontifícia Universidade Católica do Rio de Janeiro, Marques de São Vicente 225, 22451-310, Rio de Janeiro, Brazil aut Souza P.L. Laboratório de Semicondutores, Centro de Estudos em Telecomunicações Pontifícia Universidade Católica do Rio de Janeiro, Marques de São Vicente 225, 22451-310, Rio de Janeiro, Brazil aut Ponce F.A. Department of Physics, Arizona State University, 85287-1504, Tempe, Arizona, USA aut Applied Physics A Springer-Verlag 89/4(2007-12-01), 945-949 0947-8396 89:4<945 2007 89 339 https://doi.org/10.1007/s00339-007-4250-z text/html Onlinezugriff via DOI 1 research-article jats NATIONALLICENCE 856 40 https://doi.org/10.1007/s00339-007-4250-z text/html Onlinezugriff via DOI NATIONALLICENCE 700 1- Fonseca Filho H.D. Departamento de Física, Pontifícia Universidade Católica do Rio de Janeiro, Marques de São Vicente 225, 22453-900, Rio de Janeiro, Rio de Janeiro, Brazil aut NATIONALLICENCE 700 1- Prioli R. Departamento de Física, Pontifícia Universidade Católica do Rio de Janeiro, Marques de São Vicente 225, 22453-900, Rio de Janeiro, Rio de Janeiro, Brazil aut NATIONALLICENCE 700 1- Pires M.P. Departamento de Física, Universidade Federal do Rio de Janeiro, Caixa Postal 68528, 21945-970, Rio de Janeiro, Brazil aut NATIONALLICENCE 700 1- Lopes A.S. Laboratório de Semicondutores, Centro de Estudos em Telecomunicações Pontifícia Universidade Católica do Rio de Janeiro, Marques de São Vicente 225, 22451-310, Rio de Janeiro, Brazil aut NATIONALLICENCE 700 1- Souza P.L. Laboratório de Semicondutores, Centro de Estudos em Telecomunicações Pontifícia Universidade Católica do Rio de Janeiro, Marques de São Vicente 225, 22451-310, Rio de Janeiro, Brazil aut NATIONALLICENCE 700 1- Ponce F.A. Department of Physics, Arizona State University, 85287-1504, Tempe, Arizona, USA aut NATIONALLICENCE 773 0- Applied Physics A Springer-Verlag 89/4(2007-12-01), 945-949 0947-8396 89:4<945 2007 89 339 Metadata rights reserved Springer special CC-BY-NC licence nationallicence BK010053 XK010053 XK010000 NATIONALLICENCE NATIONALLICENCE NL-springer