Properties of epitaxial layers of p-type germanium-doped gallium arsenide

Verfasser / Beitragende:
[E. Malisova, M. Nikiforova, S. Khludkov]
Ort, Verlag, Jahr:
1989
Enthalten in:
Soviet Physics Journal, 32/1(1989-01-01), 54-57
Format:
Artikel (online)
ID: 465533272