Influence of thermal processing on the properties of Sn-doped GaAs epitaxial layers

Verfasser / Beitragende:
[I. Bobrovnikova, M. Vilisova, O. Ivleva, V. Moskovkin, L. Porokhovnichenko, M. Turshatova]
Ort, Verlag, Jahr:
1989
Enthalten in:
Soviet Physics Journal, 32/1(1989-01-01), 44-48
Format:
Artikel (online)
ID: 46553337X