”Reverse” annealing mechanism in ion-doped silicon layers subjected to electron beam heating
Gespeichert in:
Verfasser / Beitragende:
[R. Gretchel, V. Kagadei, N. Lebedeva, D. Proskurovskii, E. Yankelevich]
Ort, Verlag, Jahr:
1989
Enthalten in:
Soviet Physics Journal, 32/8(1989-08-01), 662-666
Format:
Artikel (online)
Online Zugang: