caa a22 4500 469091959 CHVBK 20180323133019.0 cr unu---uuuuu 170328e19920301xx s 000 0 eng 10.1007/BF02660457 doi (NATIONALLICENCE)springer-10.1007/BF02660457 Optical and structural properties of MOVPE grown GaxIn1−xAs/InP strained multiple quantum well atructures [Elektronische Daten] [R. Meyer, Hilde Hardtdegen, R. Carius, D. Grützmacher, M. Stollenwerk, P. Balk, A. Kux, B. Meyer] This paper presents a study of the structural and optical properties of strained GaInAs/ InP multiple quantum well (MQW) structures fabricated by LP-MOVPE. The composition of the Ga x In1−x As films ranged fromx = 0.17 tox = 1.0 and was determined by sputtered neutral mass spectrometry (SNMS) on thick layers. The structures of the MQW samples with well widths from 1.5 to 5 nm were investigated by high resolution x-ray diffraction (HR-XRD). Simulations of the diffraction patterns showed that transition layers of approximately 2 monolayer (ML) thickness with high lattice mismatch exist at the interfaces. Photoluminescence (PL) measurements indicate well widths of a multiple of a monolayer with local variations of one monolayer. The PL peak energies vary smoothly with the Ga concentration. These results were confirmed by optical absorption measurements. TMS, 1992 Strained layer epitaxy nationallicence GaInAs nationallicence multiple quantum well nationallicence monolayer fluctuations nationallicence Meyer R. Forschungszentrum Jülich GmbH, Institut für Schicht- und Ionentechnik, 5170, Jülich, Germany aut Hardtdegen Hilde Forschungszentrum Jülich GmbH, Institut für Schicht- und Ionentechnik, 5170, Jülich, Germany aut Carius R. Forschungszentrum Jülich GmbH, Institut für Schicht- und Ionentechnik, 5170, Jülich, Germany aut Grützmacher D. Institut für Halbleitertechnik, Technische Hochschule Aachen, 5100, Aachen, Germany aut Stollenwerk M. Institut für Halbleitertechnik, Technische Hochschule Aachen, 5100, Aachen, Germany aut Balk P. Institut für Halbleitertechnik, Technische Hochschule Aachen, 5100, Aachen, Germany aut Kux A. Physik-Department, Technische Universität München, 8046, Garching, Germany aut Meyer B. Physik-Department, Technische Universität München, 8046, Garching, Germany aut Journal of Electronic Materials Springer-Verlag 21/3(1992-03-01), 293-298 0361-5235 21:3<293 1992 21 11664 https://doi.org/10.1007/BF02660457 text/html Onlinezugriff via DOI 1 research-article jats NATIONALLICENCE 856 40 https://doi.org/10.1007/BF02660457 text/html Onlinezugriff via DOI NATIONALLICENCE 700 1- Meyer R. Forschungszentrum Jülich GmbH, Institut für Schicht- und Ionentechnik, 5170, Jülich, Germany aut NATIONALLICENCE 700 1- Hardtdegen Hilde Forschungszentrum Jülich GmbH, Institut für Schicht- und Ionentechnik, 5170, Jülich, Germany aut NATIONALLICENCE 700 1- Carius R. Forschungszentrum Jülich GmbH, Institut für Schicht- und Ionentechnik, 5170, Jülich, Germany aut NATIONALLICENCE 700 1- Grützmacher D. Institut für Halbleitertechnik, Technische Hochschule Aachen, 5100, Aachen, Germany aut NATIONALLICENCE 700 1- Stollenwerk M. Institut für Halbleitertechnik, Technische Hochschule Aachen, 5100, Aachen, Germany aut NATIONALLICENCE 700 1- Balk P. Institut für Halbleitertechnik, Technische Hochschule Aachen, 5100, Aachen, Germany aut NATIONALLICENCE 700 1- Kux A. Physik-Department, Technische Universität München, 8046, Garching, Germany aut NATIONALLICENCE 700 1- Meyer B. Physik-Department, Technische Universität München, 8046, Garching, Germany aut NATIONALLICENCE 773 0- Journal of Electronic Materials Springer-Verlag 21/3(1992-03-01), 293-298 0361-5235 21:3<293 1992 21 11664 Metadata rights reserved Springer special CC-BY-NC licence nationallicence BK010053 XK010053 XK010000 NATIONALLICENCE NATIONALLICENCE NL-springer