Study of the Surface Processes in Vapor-Phase Epitaxial GaAs: Asymmetric Trapping of Atoms at the Step
Gespeichert in:
Verfasser / Beitragende:
[I. Ivonin, L. Krasil'nikova, L. Lavrent'eva, L. Porokhovnichenko]
Ort, Verlag, Jahr:
2002
Enthalten in:
Russian Physics Journal, 45/5(2002-05-01), 493-497
Format:
Artikel (online)
Online Zugang: