Introduction of Radiation-Induced Defects into GaAs at High Temperatures
Gespeichert in:
Verfasser / Beitragende:
[V. Peshev]
Ort, Verlag, Jahr:
2002
Enthalten in:
Russian Physics Journal, 45/11(2002-11-01), 1132-1133
Format:
Artikel (online)
Online Zugang: