Ultraviolet-visible metal-semiconductor-metal photodetectors fabricated from InxGa1−xN (0≤x≤0.13)

Verfasser / Beitragende:
[J. Roberts, C. Parker, J. Muth, S. Leboeuf, M. Aumer, S. Bedair, M. Reed]
Ort, Verlag, Jahr:
2002
Enthalten in:
Journal of Electronic Materials, 31/1(2002-01-01), L1-L6
Format:
Artikel (online)
ID: 471147001