Micro-raman investigation of the n-dopant distribution in lateral epitaxial overgrown GaN/sapphire (0001)
Gespeichert in:
Verfasser / Beitragende:
[V. Chaldyshev, Fred Pollak, M. Pophristic, S. Gou, I. Ferguson]
Ort, Verlag, Jahr:
2002
Enthalten in:
Journal of Electronic Materials, 31/6(2002-06-01), 631-634
Format:
Artikel (online)
Online Zugang: