Heavily p-type doped ZnSe using Te and N codoping

Verfasser / Beitragende:
[Y. Gu, Igor Kuskovsky, G. Neumark, W. Lin, S. Guo, O. Maksimov, M. Tamargo]
Ort, Verlag, Jahr:
2002
Enthalten in:
Journal of Electronic Materials, 31/7(2002-07-01), 799-801
Format:
Artikel (online)
ID: 471147451