Planar n-on-p ion milled mid-wavelength and long-wavelength infrared diodes on molecular beam epitaxy vacancy-doped CdHgTe on CdZnTe

Verfasser / Beitragende:
[R. Haakenaasen, H. Steen, T. Lorentzen, L. Trosdahl-Iversen, A. Van Rheenen, H. Syversen]
Ort, Verlag, Jahr:
2002
Enthalten in:
Journal of Electronic Materials, 31/7(2002-07-01), 710-714
Format:
Artikel (online)
ID: 471147478