Transport properties of reactive-ion-etching-induced p-to-n type converted layers in HgCdTe
Gespeichert in:
Verfasser / Beitragende:
[T. Nguyen, J. Antoszewski, C. Musca, D. Redfern, J. Dell, L. Faraone]
Ort, Verlag, Jahr:
2002
Enthalten in:
Journal of Electronic Materials, 31/7(2002-07-01), 652-659
Format:
Artikel (online)
Online Zugang: