Passivation of HgCdTe p-n diode junction by compositionally graded HgCdTe formed by annealing in a Cd/Hg atmosphere
Gespeichert in:
Verfasser / Beitragende:
[S. An, J. Kim, D. Seo, S. Suh]
Ort, Verlag, Jahr:
2002
Enthalten in:
Journal of Electronic Materials, 31/7(2002-07-01), 683-687
Format:
Artikel (online)
Online Zugang: