Doping of molecular beam epitaxy HgCdTe using an arsenic cracker source (As2)

Verfasser / Beitragende:
[L. Almeida]
Ort, Verlag, Jahr:
2002
Enthalten in:
Journal of Electronic Materials, 31/7(2002-07-01), 660-663
Format:
Artikel (online)
ID: 471147656