Low-temperature activation of As in Hg1−xCdxTe(211) grown on Si by molecular beam epitaxy
Gespeichert in:
Verfasser / Beitragende:
[P. Boieriu, Y. Chen, V. Nathan]
Ort, Verlag, Jahr:
2002
Enthalten in:
Journal of Electronic Materials, 31/7(2002-07-01), 694-698
Format:
Artikel (online)
Online Zugang: