Schottky barrier height studies of Au/4H-SiC(0001) using photoemission and synchrotron radiation
Gespeichert in:
Verfasser / Beitragende:
[C. Virojanadara, P. Glans, T. Balasubramanian, L. Johansson, E. Macak, Q. Wahab, L. Madsen]
Ort, Verlag, Jahr:
2002
Enthalten in:
Journal of Electronic Materials, 31/12(2002-12-01), 1353-1356
Format:
Artikel (online)
Online Zugang: