Photo-ionization spectroscopy of traps in AlGaN/GaN high-electron mobility transistors
Gespeichert in:
Verfasser / Beitragende:
[M. Wolter, P. Javorka, A. Fox, M. Marso, H. Lüth, P. Kordoš, R. Carius, A. Alam, M. Heuken]
Ort, Verlag, Jahr:
2002
Enthalten in:
Journal of Electronic Materials, 31/12(2002-12-01), 1321-1324
Format:
Artikel (online)
Online Zugang: