Reactive ion etching of SiC using C2F6/O2 inductively coupled plasma
Gespeichert in:
Verfasser / Beitragende:
[S. Kong, H. Choi, B. Lee, S. Han, J. Lee]
Ort, Verlag, Jahr:
2002
Enthalten in:
Journal of Electronic Materials, 31/3(2002-03-01), 209-213
Format:
Artikel (online)
Online Zugang: