The characteristics of Zn-doped InP using spin-on dopant as a diffusion source
Gespeichert in:
Verfasser / Beitragende:
[K. Yoon, Y. Lee, D. Yeo, S. Kim]
Ort, Verlag, Jahr:
2002
Enthalten in:
Journal of Electronic Materials, 31/4(2002-04-01), 244-247
Format:
Artikel (online)
Online Zugang: