Thermodynamic modeling of native point defects and dopants of GaN semiconductors

Verfasser / Beitragende:
[Jing-Bo Li, Jean-Claude Tedenac]
Ort, Verlag, Jahr:
2002
Enthalten in:
Journal of Electronic Materials, 31/4(2002-04-01), 321-326
Format:
Artikel (online)
ID: 471148296