The effect of strained Al0.7In0.3As emitter layers on abrupt N-p+ AllnAs-GaInAs heterojunction diodes and heterojunction bipolar transistors
Gespeichert in:
Verfasser / Beitragende:
[Changhyun Yi, Robert Metzger, April Brown]
Ort, Verlag, Jahr:
2002
Enthalten in:
Journal of Electronic Materials, 31/8(2002-08-01), 841-847
Format:
Artikel (online)
Online Zugang: