The effect of O2 ambient annealing on the microstructure of Cu(Mg) in the form of a Cu(Mg)/SiO2/Si multilayer
Gespeichert in:
Verfasser / Beitragende:
[W. Lee, Y. Ko, B. Kang, B. Cho, H. Yang, G. Chae, H. Soh, J. Lee]
Ort, Verlag, Jahr:
2002
Enthalten in:
Journal of Electronic Materials, 31/8(2002-08-01), 857-860
Format:
Artikel (online)
Online Zugang: